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     小山浩司(アダマンド並木精密宝石)、大石敏之(佐賀大) 【研究成果の概要】  国立大学法人佐賀大学(以下、「佐賀大学」。本部:佐賀県佐賀市本庄町1番地。学長:兒玉 浩明)は、次世代の究極のパワー半導体ダイヤモンド半導体デバイスを作製し、世界最高の出力電圧、電力の記録を更新しました。宇宙空間の人工衛星を基地局にする無線通信が具体的に進む中で、人工衛星で使われている真空管に代わる高出力、高周波数の半導体デバイスに期待されます。  佐賀大学は、アダマンド並木精密宝石株式会社(以下、「アダマンド並木精密宝石」。本社:東京都足立区新田3-8-22。社長:並木里也子)と共同で、ダイヤモンドの大口径化と半導体デバイスの周辺技術の高度化を進め、次世代のパワー半導体のダイヤモンド半導体デバイスを作製し、世界最高の出力電力および動作電圧を更新しました。ダイヤモンド半導体は、従来のシリコン、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、と比べ、放熱性、耐電圧性、耐放射線性に優れており、地上だけでなく宇宙空間でも安定に動作させることができます。  ダイヤモンドは、半導体素材として究極の特性を有することが理論的に知られており、高周波で大電力性能のパワーデバイスとして世界中で研究が行われてきましたが、これまでは、窒化ガリウムの特性が上回っていました。  今回の記録は、昨年9月に発表した世界最高の出力電力値(345MW/cm2)を塗り替える、出力電力875MW/cm2および出力電圧2568Vで動作しました。出力電力値、動作電圧値ともダイヤモンドとしては世界最高で、半導体としては米国MITが発表している窒化ガリウムによる2093 MW/cm2の次の値です。  今後、デバイスの周辺技術の研究開発を進めることで、先行研究を凌駕する性能を目指すと共に、本格的に実用化に向けた研究開発も進めてまいります。  なお、本成果は、世界的に最も権威ある米国電気電子学会(IEEE)のElectron Device Letters誌に掲載されますが、注目論文として表紙に掲載されます。 <新ダイヤモンド半導体デバイスの特徴> ・究極のパワー半導体物性をもつダイヤモンド半導体 ・大口径のダイヤモンドウェハ結晶の製造技術(現在2インチ) ・ダイヤモンド表面の原子レベルCMP(*1)研磨技術 ・世界最高の875MW/cm2、2568Vの高出力電力、高電圧動作 ・宇宙空間の人工衛星の基地局の送信デバイスに最適 <開発の背景>  現在は地上に張り巡らされた携帯電話の基地局を宇宙空間の人工衛星に移そうという計画が現実になる中で、太陽から降り注ぐ宇宙線(*2)に耐える送信用の半導体デバイスが必要となります。半導体ではなく、真空管が用いられているのが現状です。いうまでもなく真空管は半導体に比べ効率が低く、寿命が短いということが課題となっていました(図1)。  半導体の材料に関しては、シリコン、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などが実用化段階に入っていますが、理想的なダイヤモンドができた場合は、その物理性質上から、SiCやGaNを超える周波数、出力が得られることが理論上わかっています。理想的なダイヤモンドは、シリコンに比べて、約5万倍の大電力高効率化、約1200倍の高速特性が期待されます(図2)。これは、ダイヤモンドが半導体の中でも最大の熱伝導率があり放熱性が良く、絶縁破壊電界強度が高いため長寿命であるばかりでなく、キャリア移動度は非常に高いからです。そのためダイヤモンドは、高周波パワーデバイスとして最も適した究極の半導体と呼ばれています。  ダイヤモンドは、最も硬い材料なので、ダイヤモンドの砥粒でしか研磨することができません。他の半導体は柔らかいため、例えばダイヤモンドの砥粒で削り、平坦化することができますが、ダイヤモンドの粗い表面しか得られていませんでした。半導体デバイスでは、その表面をキャリアが走るため、電流値が低く、すぐに劣化してしまうため、究極の半導体ではあるが、実用化は容易ではないとされてきました(図3)。 <技術のポイント> <1>大口径ダイヤモンドウェハ結晶の原子レベルの表面平坦化技術(図3)  アダマンド並木精密宝石は、最も硬いことで知られるダイヤモンドの表面を、原子レベルで平坦にするCMP技術を開発し、それを用いて研磨を行ったところ、表面の加工変質層を除去することができ、キャリアによる電気抵抗が約半分に減少しました。 <2>ダイヤモンド半導体デバイスの高性能化(図4)  上記の技術を用い、ダイヤモンド半導体デバイスを作製しました。 <3>世界最高の出力電力、出力電圧を更新(図5)  昨年、佐賀大学は世界記録の出力電力345 MW/cm2(メガは100万倍)の値を報告しましたが、それを更新する875 MW/cm2(出力電圧2568V)を達成しました。全ての半導体材料で比較すると、米国マサチューセッツ工科大学(MIT)によるGaNによる世界記録2096MW/cm2の次に高い値です。 <今後の展開>  今後は、周辺技術の開発によりダイヤモンドパワー半導体デバイスの性能向上に取り組むと共に、実用化に向けた研究開発を加速し、人工衛星搭載送信用パワー半導体デバイスの実用化に取り組みます(図6)。 <用語解説> *1  CMP研磨技術  半導体ウェハ結晶表面を平坦化するために、化学機械研磨(Chemical Mechanical Planarization)技術を用いて平坦化しますが、ダイヤモンドは最も硬い材料のため、原子レベルで平坦な表面を得ることは不可能とされてきました。ここでは独自の技術で、表面の加工変質層を除去し、原子レベルで平坦な表面を得ることに成功しました。 *2 宇宙線 宇宙空間では、新星などを起源とする高エネルギーの放射線、主に陽子、が飛び交っています。地球上では、大気によって軽減されますが、宇宙空間の人工衛星で、半導体デバイスは、宇宙線によって誤動作したり、デバイス本体が損傷を受け、故障し深刻な課題です。しかしダイヤモンドは、宇宙線に対し最も耐性のある半導体とわかっていました。 ・図1 Beyond5G利用に向けた半導体の高周波化・高出力化の必要性 ・図2 ダイヤモンドの優れた物性から期待されるデバイス性能 ・図3 技術のポイント(1)原子レベルで平坦なダイヤモンドウェハ結晶の製造技術 ・図4 技術のポイント(2)ダイヤモンド半導体デバイスの高性能化  ・図5 技術のポイント(3)世界最高の出力電力、出力電圧を更新 ・図6 デバイス周辺技術により宇宙衛星用パワー半導体デバイスの実用化 ●説明資料 【研究成果の公表媒体(論文や学会など)】 N. C. Saha, et al, “875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs”, IEEE Electron Device Letters 43, 5, 777 (2022); DOI; 10.1109/LED.2022.3164603. 【教員活動DBのリンク先】 嘉数 誠 https://research.dl.saga-u.ac.jp/profile/ja.2d82a58bcbe158ac.html 【本件に関する問い合わせ先】   佐賀大学   (研究)理工学部 教授 嘉数 誠    E-mail:[email protected]   TEL:0952(28)8648   (報道)広報室   E-mail:[email protected]   TEL:0952(28)8153   アダマンド並木精密宝石株式会社 広報室    E-mail:[email protected]   TEL:03-3919-0101   戻る 佐賀大学広報室からのお知らせ 広報誌「かちがらす」 プレスリリース 情報配信(プレスリリース様式)について(学内専用) 佐賀大Press 学内報(学内専用) カッチーくん 広報情報提供フォーム(教職員専用) SNS公式アカウント情報 ご意見投稿 TOP 大学案内 佐賀大学憲章 沿革・歴史 組織図 教育情報 法定情報公開 公募情報 大学の広報 教育・研究 佐賀大学学士力 学位授与の方針、教育課程編成・実施の方針、入学者受入れの方針 インターフェース科目 全学統一英語能力テスト(実施結果) 教員活動データベース 学生生活・進路 相談窓口一覧 学生相談・支援 学生便覧 時間割 課外活動 学生寄宿舎 学生生活 キャリアセンター 佐賀大学アプリ --> 社会貢献・国際交流 リージョナル・イノベーションセンター 国際交流推進センター 交換留学制度 短期海外研修(SUSAP) 留学サポート 短期交換留学プログラム(SPACE) 日本語・日本文化研修留学生プログラム 入試関係 学部入試 大学院入試 3年次編入学 入試統計・過去問 オープンキャンパス・進学説明会 資料請求 大学パンフレット・受験生応援情報誌 入学手続(Web入学手続システム) 窓口案内 交通アクセス サイトマップ 資料請求 国立大学法人佐賀大学 〒840-8502 佐賀市本庄町1 [email protected] 関連機構リンクこのサイトについて Copyright Saga University

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